Silicon Carbide được sản xuất bằng một quy trình liên quan đến phản ứng điện hóa của silica (SiO2) – dưới dạng thạch anh trộn với Carbon (C) dưới dạng than cốc dầu thô. Hỗn hợp thành phần hóa học được phản ứng trong lò điện trở ở nhiệt độ lên đến 2500 độ C để tạo ra các tinh thể chất lượng cao. Quy trình này là công nghệ lò lớn với điện cực than chì ở trung tâm lò. Các tinh thể lớn sau đó được tách, nghiền, làm sạch tạp chất từ tính trong các máy tách từ cường độ cao và được phân loại thành các phần có kích thước hẹp để phù hợp với mục đích sử dụng cuối cùng.
| PHÂN TÍCH HÓA HỌC ĐIỂN HÌNH | TÍNH CHẤT VẬT LÝ ĐIỂN HÌNH | ||
| SiC | ≥98% | Độ cứng: | Mohs: 9,15 |
| SiO2 | ≤1% | Điểm nóng chảy: | Thăng hoa ở 2250 ℃ |
| H2O3 | ≤0,5% | Nhiệt độ dịch vụ tối đa: | 1900℃ |
| Fe2O3 | ≤0,3% | Trọng lượng riêng: | 3,2-3,45g/cm3 |
| FC | ≤0,3% | Khối lượng riêng (LPD): | 1,2-1,6g/cm3 |
| Nội dung từ tính | ≤0,02% | Màu sắc: | Đen |
| Hình dạng hạt: | Lục giác | ||
Phân bố kích thước hạt theo chuẩn JIS của bột vi silicon carbide đen.
| Kích thước hạt JIS | D0(Micron) | D3 (Micron) | D50 (Micron) | D94 (Micron) |
| #240 | ≤ 127 | ≤ 103 | 57,0±3,0 | ≥ 40 |
| #280 | ≤ 112 | ≤ 87 | 48,0±3,0 | ≥ 33 |
| #320 | ≤ 98 | ≤ 74 | 40,0±2,5 | ≥ 27 |
| #360 | ≤ 86 | ≤ 66 | 35,0±2,0 | ≥ 23 |
| #400 | ≤ 75 | ≤ 58 | 30,0±2,0 | ≥ 20 |
| #500 | ≤ 63 | ≤ 50 | 25,0±2,0 | ≥ 16 |
| #600 | ≤ 53 | ≤ 41 | 20,0±1,5 | ≥ 13 |
| #700 | ≤ 45 | ≤ 37 | 17,0±1,5 | ≥ 11 |
| #800 | ≤ 38 | ≤ 31 | 14,0±1,0 | ≥ 9.0 |
| #1000 | ≤ 32 | ≤ 27 | 11,5.±1,0 | ≥ 7.0 |
| #1200 | ≤ 27 | ≤ 23 | 9,5±0,8 | ≥ 5,5 |
| #1500 | ≤ 23 | ≤ 20 | 8,0±0,6 | ≥ 4,5 |
| #2000 | ≤ 19 | ≤ 17 | 6,7±0,6 | ≥ 4.0 |
| #2500 | ≤ 16 | ≤ 14 | 5,5±0,5 | ≥ 3.0 |
| #3000 | ≤ 13 | ≤ 11 | 4,0±0,5 | ≥ 2.0 |
| #4000 | ≤ 11 | ≤ 8.0 | 3,0±0,4 | ≥ 1,8 |
